単純な酸化処理で層状クロム酸化物薄膜の電気抵抗が20万分の1に！

共同通信 PR Wire | 2025年10月01日 ビジネス

次世代メモリデバイス開発への新たな一歩 １ ． 概要遷移金属酸化物には結晶構造や化学組成の違いによっ...

^{共同通信 PR Wire | Wed, 01 Oct 2025 14:05:22 +0900}

もっとよむ